长鑫存储启动HBM3E风险试产 国产高带宽内存进入新阶段
长鑫存储已启动HBM3E风险试产,计划数周内大规模量产。目前其HBM3E生产规模仍十分有限,但DRAM制造能力目标是今年底达到每月35万片晶圆。这标志着中国存储厂商在高带宽内存领域取得新进展。 长鑫存储已开始小批量生产HBM3E内存,同时启动了风险试产工作。这意味着中国存储器制造商……
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